codice articolo del costruttore | SCNA6 |
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Numero di parte futuro | FT-SCNA6 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SCNA6 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | - |
Diodo | - |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 7.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 600V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SCNA6 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SCNA6-FT |
DD82S04K
Infineon Technologies
LD410860
Powerex Inc.
LD411060
Powerex Inc.
LD411260
Powerex Inc.
LD411460
Powerex Inc.
LD411860
Powerex Inc.
LD412060
Powerex Inc.
LD412260
Powerex Inc.
LD412460
Powerex Inc.
ND410826
Powerex Inc.
XC3S1500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE1500-2PQ208I
Microsemi Corporation
EPF6010ATC100-1
Intel
EPF10K50SFC256-2X
Intel
10CX105YF672E6G
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-TQG176I
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-6LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1508I5
Intel