casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / SCNAR10
codice articolo del costruttore | SCNAR10 |
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Numero di parte futuro | FT-SCNAR10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SCNAR10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | - |
Diodo | - |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 22.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 9A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3µA @ 1000V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SCNAR10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SCNAR10-FT |
LD410860
Powerex Inc.
LD411060
Powerex Inc.
LD411260
Powerex Inc.
LD411460
Powerex Inc.
LD411860
Powerex Inc.
LD412060
Powerex Inc.
LD412260
Powerex Inc.
LD412460
Powerex Inc.
ND410826
Powerex Inc.
ND411226
Powerex Inc.
A42MX36-CQ256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EFC484-1N
Intel
5SGXEA7K2F40I2L
Intel
5AGXBA3D4F27C4N
Intel
XC4VFX40-11FF1152I
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFV900C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX16-TQG176
Microsemi Corporation
LFXP3E-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation