casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / SET100303
codice articolo del costruttore | SET100303 |
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Numero di parte futuro | FT-SET100303 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SET100303 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | - |
Diodo | - |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 45A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 54A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 6µA @ 1000V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SET100303 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SET100303-FT |
SCNA05FF
Semtech Corporation
SCNA1
Semtech Corporation
SCNA10FF
Semtech Corporation
SCNA1F
Semtech Corporation
SCNA4
Semtech Corporation
SCNA6
Semtech Corporation
SCNAR10
Semtech Corporation
SCNAS15FF
Semtech Corporation
SCNAS6
Semtech Corporation
SCPA05F
Semtech Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005E-4PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325I
Microsemi Corporation
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I7
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel