casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / SET100212
codice articolo del costruttore | SET100212 |
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Numero di parte futuro | FT-SET100212 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SET100212 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | - |
Diodo | - |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 45A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 54A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 6µA @ 600V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SET100212 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SET100212-FT |
SCNA05
Semtech Corporation
SCNA05F
Semtech Corporation
SCNA05FF
Semtech Corporation
SCNA1
Semtech Corporation
SCNA10FF
Semtech Corporation
SCNA1F
Semtech Corporation
SCNA4
Semtech Corporation
SCNA6
Semtech Corporation
SCNAR10
Semtech Corporation
SCNAS15FF
Semtech Corporation
XA2S100E-6TQ144Q
Xilinx Inc.
XCS20XL-4TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
A40MX02-2PL68
Microsemi Corporation
10M16SCU169A7G
Intel
10AX027H4F35I3LG
Intel
A42MX09-1PQ100
Microsemi Corporation
10AX057K3F40I2SG
Intel
EP3SE80F780C2
Intel