casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / SET100211
codice articolo del costruttore | SET100211 |
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Numero di parte futuro | FT-SET100211 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SET100211 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | - |
Diodo | - |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 45A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 54A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 60µA @ 150V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SET100211 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SET100211-FT |
SCDAS6
Semtech Corporation
SCNA05
Semtech Corporation
SCNA05F
Semtech Corporation
SCNA05FF
Semtech Corporation
SCNA1
Semtech Corporation
SCNA10FF
Semtech Corporation
SCNA1F
Semtech Corporation
SCNA4
Semtech Corporation
SCNA6
Semtech Corporation
SCNAR10
Semtech Corporation
XC2V80-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C8N
Intel
5SGSMD4K3F40I3L
Intel
EP2AGX65DF25C4G
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
EP2AGX95EF35C6N
Intel