casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SE30AFJ-M3/6B
codice articolo del costruttore | SE30AFJ-M3/6B |
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Numero di parte futuro | FT-SE30AFJ-M3/6B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SE30AFJ-M3/6B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.4A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 3A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 19pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-221AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SE30AFJ-M3/6B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SE30AFJ-M3/6B-FT |
SGL41-40/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
SGL41-60/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM13-20-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM13-20HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM13-20HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM13-30-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM13-30HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM13-30HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM13-40HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM13-40HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel