casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAV19WS-HE3-08
codice articolo del costruttore | BAV19WS-HE3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BAV19WS-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAV19WS-HE3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV19WS-HE3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV19WS-HE3-08-FT |
GI818-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI818-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI818HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI818HE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP15AHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP15BHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP15BHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP15DHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP15DHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP15GHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel