casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N4448WS-HE3-08
codice articolo del costruttore | 1N4448WS-HE3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-1N4448WS-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N4448WS-HE3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
Corrente: media rettificata (Io) | 150mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 720mV @ 5mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 75V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4448WS-HE3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N4448WS-HE3-08-FT |
GI817-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI817HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI818-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI818-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI818HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI818HE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP15AHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP15BHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP15BHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP15DHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL090-1FCSG325
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
XC7VX330T-2FFV1761C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1155C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC7K410T-3FFG676E
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation