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STMicroelectronics SCTWA50N120
- Numero parte MFG
- SCTWA50N120
- quantità disponibile
- 67030 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 22.9848
- Il nostro prezzo
- Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- STMicroelectronics
- Breve descrizione
- - MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- SCTWA50N120.pdf
SCTWA50N120 specificazioni
| codice articolo del costruttore | SCTWA50N120 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-SCTWA50N120 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| SCTWA50N120 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 65A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 69 mOhm @ 40A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 122nC @ 20V |
| Vgs (massimo) | +25V, -10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 400V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 318W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | HiP247™ |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SCTWA50N120 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | SCTWA50N120-FT |
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