casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NX138BKWF
codice articolo del costruttore | NX138BKWF |
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Numero di parte futuro | FT-NX138BKWF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NX138BKWF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 210mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 Ohm @ 200mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.7nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 20pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70 |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NX138BKWF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NX138BKWF-FT |
NP160N055TUJ-E1-AY
Renesas Electronics America
NP160N055TUJ-E2-AY
Renesas Electronics America
NP180N04TUG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP180N04TUJ-E2-AY
Renesas Electronics America
NP180N055TUJ-E2-AY
Renesas Electronics America
NP22N055SLE(1)-E1-AY
Renesas Electronics America
NP22N055SLE-E1-AZ
Renesas Electronics America
NP22N055SLE-E2-AY
Renesas Electronics America
NP23N06YDG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP28N10SDE-E1-AY
Renesas Electronics America
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
EPF10K20RC240-3N
Intel
EP20K1000EFC33-3
Intel