casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NX2301PVL
codice articolo del costruttore | NX2301PVL |
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Numero di parte futuro | FT-NX2301PVL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NX2301PVL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 6V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 400mW (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NX2301PVL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NX2301PVL-FT |
NP160N055TUJ-E2-AY
Renesas Electronics America
NP180N04TUG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP180N04TUJ-E2-AY
Renesas Electronics America
NP180N055TUJ-E2-AY
Renesas Electronics America
NP22N055SLE(1)-E1-AY
Renesas Electronics America
NP22N055SLE-E1-AZ
Renesas Electronics America
NP22N055SLE-E2-AY
Renesas Electronics America
NP23N06YDG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP28N10SDE-E1-AY
Renesas Electronics America
NP32N055SDE-E1-AZ
Renesas Electronics America
LCMXO2-640HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel