casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / SBT150-04Y-DL-E
codice articolo del costruttore | SBT150-04Y-DL-E |
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Numero di parte futuro | FT-SBT150-04Y-DL-E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SBT150-04Y-DL-E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 6A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 20V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMP-FD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBT150-04Y-DL-E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SBT150-04Y-DL-E-FT |
HN2D01FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1D03FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
NSVBAS21TMR6T2G
ON Semiconductor
BAS21TMR6T1G
ON Semiconductor
BAS16UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS21AVD,135
Nexperia USA Inc.
BAS21UE6433HTMA1
Infineon Technologies
BAV70UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAV99UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAW56UE6327HTSA1
Infineon Technologies
XC6SLX45T-4CSG484C
Xilinx Inc.
XC2S100-6FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FGG900C
Xilinx Inc.
XCS20-3VQ100C
Xilinx Inc.
A3PE1500-PQG208I
Microsemi Corporation
EPF8282AVTC100-3
Intel
XC7K325T-1FBG900I
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG236C
Xilinx Inc.
LFE2-70SE-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I4L
Intel