casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / SBRV640VCTT4G
codice articolo del costruttore | SBRV640VCTT4G |
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Numero di parte futuro | FT-SBRV640VCTT4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SWITCHMODE™ |
SBRV640VCTT4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 40V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBRV640VCTT4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SBRV640VCTT4G-FT |
MMBD717LT1G
ON Semiconductor
BAV99WT1G
ON Semiconductor
BAT54SWT1G
ON Semiconductor
BAT54CWT1G
ON Semiconductor
BAV70WT1G
ON Semiconductor
SM1MA142WKT1G
ON Semiconductor
M1MA141WAT1G
ON Semiconductor
NSVMMBD717LT1G
ON Semiconductor
M1MA142WKT1G
ON Semiconductor
SBAV99WT1G
ON Semiconductor
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel