casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAV70WT1G
codice articolo del costruttore | BAV70WT1G |
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Numero di parte futuro | FT-BAV70WT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAV70WT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 6ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV70WT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV70WT1G-FT |
BAV70DXV6T5
ON Semiconductor
NSDEMN11XV6T1
ON Semiconductor
NSDEMN11XV6T1G
ON Semiconductor
NSDEMN11XV6T5
ON Semiconductor
NSDEMN11XV6T5G
ON Semiconductor
NSDEMP11XV6T1
ON Semiconductor
NSDEMP11XV6T5
ON Semiconductor
BAS70-04LT1G
ON Semiconductor
M1MA151WAT1G
ON Semiconductor
M1MA151WKT1G
ON Semiconductor
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30XL-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P030-1QNG48
Microsemi Corporation
A3P1000-1FG256T
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
5SGXMA5K3F35C3N
Intel
10AX016E3F27I2LG
Intel
10AX016E3F27E1SG
Intel
EPF8636AQC160-2
Intel