casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAV70WT1G
codice articolo del costruttore | BAV70WT1G |
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Numero di parte futuro | FT-BAV70WT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAV70WT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 6ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV70WT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV70WT1G-FT |
BAV70DXV6T5
ON Semiconductor
NSDEMN11XV6T1
ON Semiconductor
NSDEMN11XV6T1G
ON Semiconductor
NSDEMN11XV6T5
ON Semiconductor
NSDEMN11XV6T5G
ON Semiconductor
NSDEMP11XV6T1
ON Semiconductor
NSDEMP11XV6T5
ON Semiconductor
BAS70-04LT1G
ON Semiconductor
M1MA151WAT1G
ON Semiconductor
M1MA151WKT1G
ON Semiconductor
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100-2FG676C
Xilinx Inc.
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3CQC
Microchip Technology
EP20K600CF672C7
Intel
EP4CE22E22I8L
Intel
5SGXMA5K2F35I2N
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
10M02SCM153I7G
Intel