casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAV99WT1G
codice articolo del costruttore | BAV99WT1G |
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Numero di parte futuro | FT-BAV99WT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAV99WT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 215mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 6ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2.5µA @ 70V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70-3 (SOT323) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV99WT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV99WT1G-FT |
BAS16DXV6T5G
ON Semiconductor
BAV70DXV6T1
ON Semiconductor
BAV70DXV6T1G
ON Semiconductor
BAV70DXV6T5
ON Semiconductor
NSDEMN11XV6T1
ON Semiconductor
NSDEMN11XV6T1G
ON Semiconductor
NSDEMN11XV6T5
ON Semiconductor
NSDEMN11XV6T5G
ON Semiconductor
NSDEMP11XV6T1
ON Semiconductor
NSDEMP11XV6T5
ON Semiconductor
A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
APA750-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C3N
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC5VFX70T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45CU17C6N
Intel
5AGXBA7D4F35C4N
Intel
EP20K200BC356-2
Intel