casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SA2B-E3/61T
codice articolo del costruttore | SA2B-E3/61T |
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Numero di parte futuro | FT-SA2B-E3/61T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SA2B-E3/61T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 2A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 11pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SA2B-E3/61T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SA2B-E3/61T-FT |
US1M-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1D-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS14-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21M-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15MQ040NTRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23T-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23M-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1JHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1J-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1B-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX100-2CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FTG256I
Xilinx Inc.
EP3C5F256C8
Intel
10M04SCU169C8G
Intel
EP4CGX22BF14C6N
Intel
XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
A40MX02-PQ100A
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F27E3SG
Intel