casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYG21M-E3/TR
codice articolo del costruttore | BYG21M-E3/TR |
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Numero di parte futuro | FT-BYG21M-E3/TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYG21M-E3/TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 1.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 120ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG21M-E3/TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYG21M-E3/TR-FT |
BYM13-60HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM13-60HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
SGL41-20-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
SGL41-20HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
SGL41-20HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
SGL41-30-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
SGL41-30HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
SGL41-30HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
SGL41-40HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
SGL41-40HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-L1FB676I
Xilinx Inc.
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1AQC
Microchip Technology
5SGXEA3K3F40I4N
Intel
5SGXMA3K2F40I2LN
Intel
5CGXBC3B6F23C7N
Intel
10AX057N2F40E2LG
Intel
EPF6024AQC208-1
Intel
EP2A40F1020I8
Intel