casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYG23M-E3/TR
codice articolo del costruttore | BYG23M-E3/TR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BYG23M-E3/TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYG23M-E3/TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG23M-E3/TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYG23M-E3/TR-FT |
SGL41-20HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
SGL41-20HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
SGL41-30-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
SGL41-30HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
SGL41-30HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
SGL41-40HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
SGL41-40HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
SGL41-50-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
SGL41-50HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
SGL41-50HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K50STC144-1
Intel
XC7A75T-1FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1PQ208M
Microsemi Corporation
MPF100TS-1FCVG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-Z2VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10-2EQI
Microchip Technology
XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
LFE2M70E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C12F324I7
Intel