codice articolo del costruttore | S6QR |
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Numero di parte futuro | FT-S6QR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S6QR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 6A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AA, DO-4, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-4 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S6QR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S6QR-FT |
DSAI75-16B
IXYS
DSAI35-16A
IXYS
DSA75-18B
IXYS
DSA75-16B
IXYS
DSA2-12A
IXYS
DS2-12A
IXYS
DSA2-16A
IXYS
DSA1-18D
IXYS
DSI75-12B
IXYS
DNA30E2200PZ
IXYS
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel