casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / DS2-12A
codice articolo del costruttore | DS2-12A |
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Numero di parte futuro | FT-DS2-12A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS2-12A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3.6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 7A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2mA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 180°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS2-12A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS2-12A-FT |
DPF60XA400NA
IXYS
DSA300I100NA
IXYS
DSA300I200NA
IXYS
DSA300I45NA
IXYS
DHG10I1200PM
IXYS
DFE10I600PM
IXYS
DPG15I400PM
IXYS
MEO550-02DA
IXYS
MEO500-06DA
IXYS
MEO450-12DA
IXYS
XC3042A-7PQ100C
Xilinx Inc.
M2GL050-FCSG325
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C2N
Intel
10AX027H3F34E2SG
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel
EP2AGX95EF35C6ES
Intel