casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / DSA1-18D
codice articolo del costruttore | DSA1-18D |
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Numero di parte futuro | FT-DSA1-18D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DSA1-18D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2.3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.34V @ 7A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 700µA @ 1800V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSA1-18D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DSA1-18D-FT |
DSA300I200NA
IXYS
DSA300I45NA
IXYS
DHG10I1200PM
IXYS
DFE10I600PM
IXYS
DPG15I400PM
IXYS
MEO550-02DA
IXYS
MEO500-06DA
IXYS
MEO450-12DA
IXYS
ME0500-06DA
IXYS
MDO500-22N1
IXYS
APA450-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SGXEA4K3F35C4N
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
XCV200-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PLG84M
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C4N
Intel
EP3SE110F780I3N
Intel
HC20K600BC652
Intel