casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S3DB R5G
codice articolo del costruttore | S3DB R5G |
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Numero di parte futuro | FT-S3DB R5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S3DB R5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 3A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S3DB R5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S3DB R5G-FT |
ESH1DM RSG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS16MHRSG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS24M RSG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JM RSG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS23M RSG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS23MHRSG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JMHRSG
Taiwan Semiconductor Corporation
ESH1GM RSG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS16M RSG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS22MHRSG
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel