casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S1JM RSG
codice articolo del costruttore | S1JM RSG |
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Numero di parte futuro | FT-S1JM RSG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1JM RSG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 780ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 5pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 2-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | Micro SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1JM RSG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1JM RSG-FT |
SK32AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK32AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK33A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK33A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK33AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK34AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK35A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK35AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK35AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK36A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3BQI
Microchip Technology
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
A3PE600-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M04SCE144C8G
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.