casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S1JMHRSG
codice articolo del costruttore | S1JMHRSG |
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Numero di parte futuro | FT-S1JMHRSG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1JMHRSG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 780ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 5pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 2-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | Micro SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1JMHRSG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1JMHRSG-FT |
SK33A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK33AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK34AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK35A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK35AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK35AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK36A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK36AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK39A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK39A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel