casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S1JMHRSG
codice articolo del costruttore | S1JMHRSG |
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Numero di parte futuro | FT-S1JMHRSG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1JMHRSG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 780ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 5pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 2-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | Micro SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1JMHRSG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1JMHRSG-FT |
SK33A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK33AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK34AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK35A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK35AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK35AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK36A M2G
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SK36AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK39A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK39A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
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APA150-FG256I
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5SGXEA7N3F40C2L
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5SGXEB6R3F43C4N
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LCMXO640C-4M100I
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EP1K30QC208-2N
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