casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S34ML01G200BHI503
codice articolo del costruttore | S34ML01G200BHI503 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-S34ML01G200BHI503 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ML-2 |
S34ML01G200BHI503 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 25ns |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 63-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 63-BGA (11x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S34ML01G200BHI503 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S34ML01G200BHI503-FT |
IS29GL256S-10DHV020
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL256S-10DHV023
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL512S-11DHB01
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL512S-11DHB01-TR
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL512S-11DHB010
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL512S-11DHB013
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL512S-11DHB02
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL512S-11DHB02-TR
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL512S-11DHB020
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL512S-11DHB023
Cypress Semiconductor Corp
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel