casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IS29GL512S-11DHB02-TR
codice articolo del costruttore | IS29GL512S-11DHB02-TR |
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Numero di parte futuro | FT-IS29GL512S-11DHB02-TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-S |
IS29GL512S-11DHB02-TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Preliminary |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 110ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 64-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 64-FBGA (9x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS29GL512S-11DHB02-TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IS29GL512S-11DHB02-TR-FT |
S29GL01GT10FHI040
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT11FAIV10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT11FAIV13
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT11FAIV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT11FAIV23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT11FHB020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT11FHIV13
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT11FHIV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT11FHIV23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT11FHIV40
Cypress Semiconductor Corp
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel