casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IS29GL512S-11DHB013
codice articolo del costruttore | IS29GL512S-11DHB013 |
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Numero di parte futuro | FT-IS29GL512S-11DHB013 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-S |
IS29GL512S-11DHB013 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 110ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 64-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 64-FBGA (9x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS29GL512S-11DHB013 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IS29GL512S-11DHB013-FT |
S29GL01GT10FHI023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT10FHI030
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT10FHI040
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT11FAIV10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT11FAIV13
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT11FAIV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT11FAIV23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT11FHB020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT11FHIV13
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT11FHIV20
Cypress Semiconductor Corp
A1020B-PQ100C
Microsemi Corporation
XCV300E-6FG256I
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-1PLG68M
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70SE-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S60F1020I4
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