casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S29GL064S80DHV010
codice articolo del costruttore | S29GL064S80DHV010 |
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Numero di parte futuro | FT-S29GL064S80DHV010 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-S |
S29GL064S80DHV010 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 64Mb (4M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 80ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 64-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 64-FBGA (9x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL064S80DHV010 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S29GL064S80DHV010-FT |
S29CL032J0PQFM010
Cypress Semiconductor Corp
S29CL032J0RQAI030
Cypress Semiconductor Corp
S29CL032J0RFFM010
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0MFAM010
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0MFAM013
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0PFAM010
Cypress Semiconductor Corp
S29CD032J0PFFI010
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0JFAM010
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0MFAM113
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J1MFAM112
Cypress Semiconductor Corp
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel