casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S29CD016J0MFAM010
codice articolo del costruttore | S29CD016J0MFAM010 |
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Numero di parte futuro | FT-S29CD016J0MFAM010 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CD-J |
S29CD016J0MFAM010 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 16Mb (512K x 32) |
Frequenza di clock | 56MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 54ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.65V ~ 2.75V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 80-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 80-FBGA (13x11) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29CD016J0MFAM010 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S29CD016J0MFAM010-FT |
S26KS512SDPBHN020
Cypress Semiconductor Corp
S26KL128SDABHA030
Cypress Semiconductor Corp
S26KL256SDABHA030
Cypress Semiconductor Corp
S26KL512SDABHA030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS128SDABHA030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS128SDABHB030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS128SDABHI030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS128SDABHM030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS128SDABHN030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS128SDABHV030
Cypress Semiconductor Corp
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel