casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S29CD016J0MFAM113
codice articolo del costruttore | S29CD016J0MFAM113 |
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Numero di parte futuro | FT-S29CD016J0MFAM113 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CD-J |
S29CD016J0MFAM113 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 16Mb (512K x 32) |
Frequenza di clock | 56MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 54ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.65V ~ 2.75V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 80-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 80-FBGA (13x11) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29CD016J0MFAM113 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S29CD016J0MFAM113-FT |
S26KS128SDABHB030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS128SDABHI030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS128SDABHM030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS128SDABHN030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS128SDABHV030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS128SDGBHA030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS256SDABHA030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS256SDABHB030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS256SDABHM030
Cypress Semiconductor Corp
S26KS256SDABHN030
Cypress Semiconductor Corp
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel