casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S29GL01GT12DHN010
codice articolo del costruttore | S29GL01GT12DHN010 |
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Numero di parte futuro | FT-S29GL01GT12DHN010 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-T |
S29GL01GT12DHN010 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 120ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 64-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 64-FBGA (9x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL01GT12DHN010 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S29GL01GT12DHN010-FT |
S29GL512S10FAI023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10FHI013
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10FHI020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10FHI023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10FHSS10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10FHSS13
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10FHSS20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10FHSS23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10FHSS30
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10FHSS33
Cypress Semiconductor Corp
XC6SLX100-2FG484I
Xilinx Inc.
EP4S100G2F40I1N
Intel
5SGXMA5H2F35I3LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
XC5VLX330T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC6SLX4-2CPG196I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FBG329
Microsemi Corporation
LCMXO2-256ZE-2UMG64I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4LN
Intel