casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S29GL512S10FHI013
codice articolo del costruttore | S29GL512S10FHI013 |
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Numero di parte futuro | FT-S29GL512S10FHI013 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-S |
S29GL512S10FHI013 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 512Mb (32M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 100ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 64-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 64-Fortified BGA (13x11) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL512S10FHI013 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S29GL512S10FHI013-FT |
AT25DN256-MAHFGP-Y
Adesto Technologies
AT25DN512C-MAHF-Y
Adesto Technologies
AT25DN512C-MAHFGP-Y
Adesto Technologies
S25FL256LAGNFM010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL129P0XNFI011
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SAGNFV013
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SAGNFB010
Cypress Semiconductor Corp
S25FS256SAGNFI000
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SAGNFI011
Cypress Semiconductor Corp
S25FL032P0XNFB000
Cypress Semiconductor Corp
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel