casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S29GL512S10FHSS23
codice articolo del costruttore | S29GL512S10FHSS23 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-S29GL512S10FHSS23 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-S |
S29GL512S10FHSS23 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 512Mb (32M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 100ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 64-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 64-Fortified BGA (13x11) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL512S10FHSS23 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S29GL512S10FHSS23-FT |
S25FS512SAGNFB010
Cypress Semiconductor Corp
S25FS256SAGNFI000
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SAGNFI011
Cypress Semiconductor Corp
S25FL032P0XNFB000
Cypress Semiconductor Corp
S25FS256SDSNFI001
Cypress Semiconductor Corp
S25FS256SAGNFI001
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256LAGNFI010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256LAGNFV010
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSNFI010
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SAGNFV010
Cypress Semiconductor Corp
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel