casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S1M M2G
codice articolo del costruttore | S1M M2G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-S1M M2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1M M2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1M M2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1M M2G-FT |
ES1B R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2GA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2HA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1B R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1J R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2AA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2FA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2GA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2JA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1D R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2V1500-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC4010E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027H3F35E2LG
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XCV150-6BG256C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel