casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HS2AA R3G
codice articolo del costruttore | HS2AA R3G |
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Numero di parte futuro | FT-HS2AA R3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HS2AA R3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS2AA R3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HS2AA R3G-FT |
SS13LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14L RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS15L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS15L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS15L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS15LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS16L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel