casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES1B R3G
codice articolo del costruttore | ES1B R3G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-ES1B R3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES1B R3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1B R3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES1B R3G-FT |
SS115LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14L RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX4-2TQG144I
Xilinx Inc.
A54SX08-2TQ144I
Microsemi Corporation
XCVU095-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
EPF10K130EFC672-2X
Intel
10AX027E3F27E2SG
Intel
EP3SL110F1152C4LN
Intel
XC4005XL-1PC84C
Xilinx Inc.
LFE2-6SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35C4
Intel