casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S1J-E3/5AT
codice articolo del costruttore | S1J-E3/5AT |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-S1J-E3/5AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1J-E3/5AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.8µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1J-E3/5AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1J-E3/5AT-FT |
SE30AFD-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30AFDHM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30AFDHM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30AFG-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30AFG-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30AFGHM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30AFJ-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30AFJHM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M10-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3L45HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XC4036XL-1HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
EP4CGX50CF23I7N
Intel
5SGXMB9R2H43I2LN
Intel
5SGXEB5R2F43C2N
Intel
XC4028XL-3HQ208I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70DF29C3N
Intel
EPF10K20RC208-3
Intel