casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RS2GAHR3G
codice articolo del costruttore | RS2GAHR3G |
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Numero di parte futuro | FT-RS2GAHR3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RS2GAHR3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS2GAHR3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RS2GAHR3G-FT |
SS110L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS115L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS115L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS115LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel