casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S10CMHM3/I
codice articolo del costruttore | S10CMHM3/I |
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Numero di parte futuro | FT-S10CMHM3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
S10CMHM3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 10A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 79pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S10CMHM3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S10CMHM3/I-FT |
RO 2CV
Sanken
RO 2CV1
Sanken
RO 2V
Sanken
RO 2V1
Sanken
RO 2Z
Sanken
RO 2ZV
Sanken
RO 2ZV1
Sanken
RP 1H
Sanken
RP 1HV
Sanken
RP 3F
Sanken
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel