codice articolo del costruttore | RO 2CV |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RO 2CV |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RO 2CV Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 1.5A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RO 2CV Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RO 2CV-FT |
RL104-N-0-3-AP
Micro Commercial Co
RL104-N-0-4-AP
Micro Commercial Co
RL104-N-2-1-BP
Micro Commercial Co
RL104-N-2-2-BP
Micro Commercial Co
RL104-N-2-3-AP
Micro Commercial Co
RL104-N-2-4-AP
Micro Commercial Co
RL104-TP
Micro Commercial Co
RL105-AP
Micro Commercial Co
RL105-N-0-1-BP
Micro Commercial Co
RL105-N-0-2-BP
Micro Commercial Co
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel