codice articolo del costruttore | RO 2V |
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Numero di parte futuro | FT-RO 2V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RO 2V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 1.5A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RO 2V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RO 2V-FT |
RL104-N-2-1-BP
Micro Commercial Co
RL104-N-2-2-BP
Micro Commercial Co
RL104-N-2-3-AP
Micro Commercial Co
RL104-N-2-4-AP
Micro Commercial Co
RL104-TP
Micro Commercial Co
RL105-AP
Micro Commercial Co
RL105-N-0-1-BP
Micro Commercial Co
RL105-N-0-2-BP
Micro Commercial Co
RL105-N-0-3-AP
Micro Commercial Co
RL105-N-0-4-AP
Micro Commercial Co
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel