casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S10CGHM3/I
codice articolo del costruttore | S10CGHM3/I |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-S10CGHM3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
S10CGHM3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 10A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 79pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S10CGHM3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S10CGHM3/I-FT |
RN 2ZV
Sanken
RO 2
Sanken
RO 2B
Sanken
RO 2BV
Sanken
RO 2BV1
Sanken
RO 2C
Sanken
RO 2CV
Sanken
RO 2CV1
Sanken
RO 2V
Sanken
RO 2V1
Sanken
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel