casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / RW1S5CAR200JT
codice articolo del costruttore | RW1S5CAR200JT |
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Numero di parte futuro | FT-RW1S5CAR200JT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW1S5CAR200JT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 200 mOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 1.5W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Current Sense |
Coefficiente di temperatura | ±90ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | 3916 J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMD J-Lead, Pedestal |
Dimensione / Dimensione | 0.394" L x 0.159" W (10.01mm x 4.04mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.164" (4.17mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW1S5CAR200JT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RW1S5CAR200JT-FT |
RW2R0DAR010J
Ohmite
RW2R0DAR010JE
Ohmite
RW2R0DAR010JET
Ohmite
RW2R0DAR015JE
Ohmite
RW2R0DAR015JET
Ohmite
RW2R0DAR015JT
Ohmite
RW2R0DAR020JE
Ohmite
RW2R0DAR020JET
Ohmite
RW2R0DAR025JE
Ohmite
RW2R0DAR025JET
Ohmite
XC7K160T-1FBG676I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C6N
Intel
A42MX16-3TQG176I
Microsemi Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
Intel
EP2AGX95EF35C5ES
Intel
EP1C6Q240C7
Intel
EP20K1500EFC33-2X
Intel