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codice articolo del costruttore | RW2R0DAR025JET |
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Numero di parte futuro | FT-RW2R0DAR025JET |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW2R0DAR025JET Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 25 mOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 2W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Current Sense |
Coefficiente di temperatura | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | 4524 J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMD J-Lead, Recessed |
Dimensione / Dimensione | 0.455" L x 0.240" W (11.56mm x 6.10mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.231" (5.87mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW2R0DAR025JET Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RW2R0DAR025JET-FT |
RW3R0DBR025JT
Ohmite
RW3R0DBR036JE
Ohmite
RW3R0DBR036JET
Ohmite
RW3R0DBR050J
Ohmite
RW3R0DBR050JET
Ohmite
RW3R0DBR050JT
Ohmite
RW3R0DBR075J
Ohmite
RW3R0DBR100JET
Ohmite
RW3R0DBR500J
Ohmite
RW3R0DBR500JT
Ohmite
XC4003E-4PQ100C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FG256I
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-2FFG484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG484
Microsemi Corporation
EP3C16U484C7N
Intel
5SGXMA7H2F35C2LN
Intel
LFE3-70EA-9FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-17EA-6LFN484E
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-7MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C2N
Intel