casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / RW2R0DAR020JE
codice articolo del costruttore | RW2R0DAR020JE |
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Numero di parte futuro | FT-RW2R0DAR020JE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW2R0DAR020JE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 20 mOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 2W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Current Sense |
Coefficiente di temperatura | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | 4524 J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMD J-Lead, Recessed |
Dimensione / Dimensione | 0.455" L x 0.240" W (11.56mm x 6.10mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.231" (5.87mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW2R0DAR020JE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RW2R0DAR020JE-FT |
RW3R0DBR015JE
Ohmite
RW3R0DBR015JET
Ohmite
RW3R0DBR025J
Ohmite
RW3R0DBR025JT
Ohmite
RW3R0DBR036JE
Ohmite
RW3R0DBR036JET
Ohmite
RW3R0DBR050J
Ohmite
RW3R0DBR050JET
Ohmite
RW3R0DBR050JT
Ohmite
RW3R0DBR075J
Ohmite
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC2V3000-6FGG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-CQ208B
Microsemi Corporation
AFS1500-FGG484I
Microsemi Corporation
AX250-1FG484
Microsemi Corporation
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP4SE360H29C2
Intel
10AX032H3F34I2LG
Intel
LFXP6E-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3MN100I
Lattice Semiconductor Corporation