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codice articolo del costruttore | RW2R0DAR470JET |
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Numero di parte futuro | FT-RW2R0DAR470JET |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW2R0DAR470JET Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 470 mOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 2W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Current Sense |
Coefficiente di temperatura | ±90ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | 4524 J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMD J-Lead, Recessed |
Dimensione / Dimensione | 0.455" L x 0.240" W (11.56mm x 6.10mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.231" (5.87mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW2R0DAR470JET Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RW2R0DAR470JET-FT |
RW3R0DBR500J
Ohmite
RW3R0DBR500JT
Ohmite
RW3R0DBR100JE
Ohmite
RW3R0DB100RJT
Ohmite
RW3R0DB10R0J
Ohmite
RW3R0DB10R0JT
Ohmite
RW3R0DB15R0J
Ohmite
RW3R0DB15R0JT
Ohmite
RW3R0DB1R00JT
Ohmite
RW3R0DB24R0JT
Ohmite
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCS30XL-4PQG208C
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-6BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EP4S40G2F40I3N
Intel
LFE2-12E-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel