casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / RW2S0DA100RJT
codice articolo del costruttore | RW2S0DA100RJT |
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Numero di parte futuro | FT-RW2S0DA100RJT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW2S0DA100RJT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 100 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 2W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Current Sense |
Coefficiente di temperatura | ±20ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | 4524 J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMD J-Lead, Pedestal |
Dimensione / Dimensione | 0.455" L x 0.240" W (11.56mm x 6.10mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.231" (5.87mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW2S0DA100RJT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RW2S0DA100RJT-FT |
RW3R0DB10R0J
Ohmite
RW3R0DB10R0JT
Ohmite
RW3R0DB15R0J
Ohmite
RW3R0DB15R0JT
Ohmite
RW3R0DB1R00JT
Ohmite
RW3R0DB24R0JT
Ohmite
RW3R0DB47R0J
Ohmite
RW3R0DB47R0JT
Ohmite
RW3R0DB5R00JT
Ohmite
RW3R0DB68R0J
Ohmite
XCV800-4FG676I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2PQG208
Microsemi Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
10M25DCF484I6G
Intel
10AX032H4F35I3SG
Intel
EP4CE10E22C8
Intel
XC7VX690T-2FFG1927C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
10AX115R2F40I1SG
Intel
EP1C20F324C8N
Intel