casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / RW1S0BAR010JT
codice articolo del costruttore | RW1S0BAR010JT |
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Numero di parte futuro | FT-RW1S0BAR010JT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW1S0BAR010JT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10 mOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Current Sense |
Coefficiente di temperatura | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | 2512 J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMD J-Lead, Pedestal |
Dimensione / Dimensione | 0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.141" (3.58mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW1S0BAR010JT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RW1S0BAR010JT-FT |
RW1S5CAR100J
Ohmite
RW1S5CAR150J
Ohmite
RW1S5CAR150JT
Ohmite
RW1S5CAR200J
Ohmite
RW1S5CAR200JT
Ohmite
RW1S5CAR500J
Ohmite
RW1S5CAR500JT
Ohmite
RW1S0CKR050FET
Ohmite
RW1S0CKR010DET
Ohmite
RW1S0CKR050DET
Ohmite
XC4006E-4TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200HC-5TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75T-3FG484C
Xilinx Inc.
5SGXEA5K1F35C2N
Intel
A42MX09-1TQ176I
Microsemi Corporation
A42MX09-2PQ160
Microsemi Corporation
M1A3P400-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB1H6F35C6N
Intel