casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / RW1S5CAR200J
codice articolo del costruttore | RW1S5CAR200J |
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Numero di parte futuro | FT-RW1S5CAR200J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW1S5CAR200J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 200 mOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 1.5W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Current Sense |
Coefficiente di temperatura | ±90ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | 3916 J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMD J-Lead, Pedestal |
Dimensione / Dimensione | 0.394" L x 0.159" W (10.01mm x 4.04mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.164" (4.17mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW1S5CAR200J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RW1S5CAR200J-FT |
RW2R0DAR005JET
Ohmite
RW2R0DAR010J
Ohmite
RW2R0DAR010JE
Ohmite
RW2R0DAR010JET
Ohmite
RW2R0DAR015JE
Ohmite
RW2R0DAR015JET
Ohmite
RW2R0DAR015JT
Ohmite
RW2R0DAR020JE
Ohmite
RW2R0DAR020JET
Ohmite
RW2R0DAR025JE
Ohmite
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCS30XL-4PQG208C
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-6BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EP4S40G2F40I3N
Intel
LFE2-12E-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel