casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / RW1S0BAR010FT
codice articolo del costruttore | RW1S0BAR010FT |
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Numero di parte futuro | FT-RW1S0BAR010FT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW1S0BAR010FT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10 mOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Current Sense |
Coefficiente di temperatura | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | 2512 J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMD J-Lead, Pedestal |
Dimensione / Dimensione | 0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.141" (3.58mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW1S0BAR010FT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RW1S0BAR010FT-FT |
RW1S5CAR040JT
Ohmite
RW1S5CAR100J
Ohmite
RW1S5CAR150J
Ohmite
RW1S5CAR150JT
Ohmite
RW1S5CAR200J
Ohmite
RW1S5CAR200JT
Ohmite
RW1S5CAR500J
Ohmite
RW1S5CAR500JT
Ohmite
RW1S0CKR050FET
Ohmite
RW1S0CKR010DET
Ohmite
XC4003E-4PQ100C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FG256I
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-2FFG484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG484
Microsemi Corporation
EP3C16U484C7N
Intel
5SGXMA7H2F35C2LN
Intel
LFE3-70EA-9FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-17EA-6LFN484E
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-7MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C2N
Intel